专利信息检索

Report
专利信息的检索、分析及应用
国家知识产权局知识产权发展研究中心
孙全亮
1
内容
2
2
一、国外专利信息的检索
欧洲专利局
美国专商局
主要专利局
2009年11月
任三级专利
审查员
世界知识产权组织
日本特许厅
3
3
一、国外专利信息的检索——美国专商局
2009年11月
任三级专利
审查员
官方网站网址:http://www.uspto.gov。
网站提供的专利数据库:
1.授权专利数据库;2.公开专利申请数据库;3.失效专利数据库。
4
4
一、国外专利信息的检索——美国专商局
2009年11月
任三级专利
美国专商局专利数据库登录界面
审查员
1.网址:http://www.uspto.gov/patents/process/search/index.jsp
2.登录入口:从常用链接中点击“Patent Search”进入检索界面
3.检索字段
5
5
一、国外专利信息的检索——美国专商局
Issued Patents
(full-text since 1976, full-page images since 1790)
Quick Search
Advanced Search
Patent Number Search
Database Notices and Status
Database Contents
Help
Patent Applications
(published since 15 March 2001)
Quick Search
Advanced Search
Publication Number Search
Help
Important Notices!
How to Access Full-Page Images
Problems Accessing the Databases?
Report Data Content Problems
Tools to Help in Searching by Patent Classification
Downloadable Published Sequence Listings
1.“Issued Patents”,即授权专利数据库
2.“Patent Applications”,即专利申请数据库
3.两个数据库的检索方式完全相同,均提供快速检索、高级检索、专利
6
号或公开号检索
6
一、国外专利信息的检索——美国专商局
“refined search”(精确检索)对话框可以
用来缩小检索范围。其中可以输入一个检索表达
式,句法与高级检索相同;该检索在现有检索结
果范围内进行,即目的是进一步缩小检索范围,
提高检索精度。
1.点击专利号,可显示美国专利全文本
。
2.全文本显示界面提供“References
Cited”栏目,给出了命中专利中引用过
的美国专利文献和外国专利文献。
3.提供引文检索链接“Referenced
By”,可以检索到命中专利被其他美国
专利文献引用过的信息。
7
7
一、国外专利信息的检索——欧洲专利局
官方网站网址:http://www.epo.org/index.html。
提供免费的Espacenet专利数据库:
1.数据库包含世界范围内7000万件专利文档;
2.数据时间跨度为从19世纪至今;
3.数据库的检索和数据全文下载全部免费,并通过Google翻译引擎提供
8
主要语言间的免费翻译。
8
一、国外专利信息的检索——欧洲专利局
Espacenet专利数据库提供五种检索方式:
1.Smart Search,智慧检索;
2.Quick Seach,快速检索;
3.Advance Search,高级检索;
4.Number Search,专利号检索;
5.Classification Search,专利分类号检索。
9
9
一、国外专利信息的检索——欧洲专利局
Espacenet专利数据库检索结果:
1.检索结果列表页面一次最多显示20件专利文献,通过跳转键可以显
示更多文献;
2.用户一次检索最多只能提取为500件专利文献;
3.列表仅能显示发明名称、发明人、申请人、EC和IPC、优先权日。10
10
一、国外专利信息的检索——欧洲专利局
Espacenet专利数据库检索结果显示的文献信息:
著录项目(Bibliographic data)、文本形式说明书(Description)
、权利要求书(Claims)、说明书附图(Mosaics)、扫描图像原始全
文说明书(Original document)、INPADOC法律状态(INPADOC legal
status)及查找该专利的同族专利入口(View INPADOC patent
11
family)
11
一、国外专利信息的检索——日本特许厅
官方网站网址:http://www.epo.org/index.html。
日本工业产权数字图书馆(IPDL)网址:
http://www.ipdl.inpit.go.jp/homepg_e.ipdl。
12
12
一、国外专利信息的检索——日本特许厅
IPDL专利数据库提供四类检索:
“特许.实用新案检索”:检索发明、实用新型专利;
“意匠检索”:检索日本外观设计专利;
“经过情报检索”:检索日本专利的法律状态;
“审判检索”:检索经过复审程序的专利申请的判决公报。
13
13
一、国外专利信息的检索——日本特许厅
IPDL专利数据库中发明专利的检索:
特许.实用新案公报DB;特许.实用新案文献番号索引照会;公报检索;
公开特许公报检索;特许分类检索;外国公报DB;美国特许分类检索;
14
审查书类情报照会等。
14
一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织
官方网站网址:http://www.wipo.org。
数据库检索界面网址:http://www.wipo.int/wipogold/en。
15
15
一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织
专利数据库检索界面网址:
http://www.wipo.int/wipogold/en。
16
16
一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织
提供简单检索(Simple search)、高级检索(Advanced search)、结
构化检索(Structured search)和浏览每周公布的专利文献(Browsed by
17
Week)。点击左上角“search”可进行四种检索方式的切换。
17
一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织
1.检索结果附带统计功能,可以对申请国家、申请人、发明人、公开日
等项进行排序统计,并通过条状图或饼状图显示。
2.点击“Refine Search”可进行精细检索。
18
3.可对标题和摘要进行英文到中文、中文到英文的机器翻译。
18
二、竞争对手专利分析
专利分析的含义
专利分析
概述
专利分析的作用
专利分析的类型
专利分析的时机
19
19
二、竞争对手专利分析
竞争环境分析
竞争对手识别
竞争对手
专利分析
竞争对手分析
竞争对手追踪
20
20
二、竞争对手专利分析
竞争对手分析的内容组成
基本状况
技术
研发
对比
竞争对手
专利总量分析
竞争对手重点
技术领域分析
竞争对手
研发团队分析
竞争对手
专利实力分析
竞争对手专利量
时间序列分析
竞争对手
技术路线分析
竞争对手重要
发明人分析
竞争对手
威胁度分析
竞争对手区域
专利布局分析
竞争对手
重要专利分析
竞争对手
研发合作分析
竞争对手
战略匹配度分析
竞争对手专利
活跃度分析
21
21
二、竞争对手专利分析
专利分析的
基本步骤
前期准备阶段
确定分析主题、范围
了解产业、市场、技术现状
数据采集阶段
项目分解、数据检索
数据清晰、数据标引
实体分析阶段
确定分析指标
图表分析解读
形成报告阶段
归纳提炼结论
撰写分析报告
成果运用阶段
动态追踪、数据更新
深入分析、滚动分析
22
22
二、竞争对手专利分析
竞争对手
专利分析
结合分析框架
结合实际案例
23
23
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
半导体设备
清洗设备
沉积设备
光刻设备
刻蚀设备
扩散设备
离子注入
设备
……
干法刻蚀设备
(等离子体刻蚀
设备)
湿法刻蚀设备
平板反应器
硅刻蚀
技
术
发
展
历
程
介质膜刻蚀
金属刻蚀
刻蚀
对象
去胶
等离子体反应
腔
……
三极平面反应器
反应离子刻蚀
电子回旋共振
高密度等离子体
刻蚀
电感耦合
双等离子体源
磁增强反应离子
……
解决技术问题
刻
蚀
均
匀
性
刻
蚀
速
率
刻
蚀
选
择
比
刻
蚀
形
貌
刻
蚀
准
确
性
可
靠
性
提
高
效
率
温
度
控
制
控
制
沾
污
了解技术现状:等离子体刻蚀机技术概况
24
24
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
2008年半导体设备市场销售额
其他
9%
中国
6%
日本
24%
台湾
17%
韩国
17%
北美
19%
欧洲
8%
数据来源: 国际半导体装备与
材料协会(SEMI)
了解市场现状:全球半导体装备市场分布
25
25
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
不断调整完善项目分解方案
等离子体刻蚀机技术的项目分解
26
26
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
1000
270.0%
900
220.0%
800
700
170.0%
申请量
600
500
120.0%
400
70.0%
300
200
20.0%
100
0
-30.0%
1988
1990
1992
1994
年增长率(绿色为正、红色为负)
1996
1998
年申请量
2000
申请年
预测值
2002
失真值
2004
2006
2008
2010
半导体设备市场销售额趋势
历年专利申请分布分析:
掌握分析领域的专利申请量总体呈增长态势。
27
27
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
半导体技术
计算机控制技术
材料处理技术
精密机械技术
等离子体技术
化学气体技术
技术广度分析:
反映某技术所涉及的技术门类及各技术门类间的关联程度
28
28
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
100%
90%
80%
申请量所占比例
70%
68.50%
72.96%
60%
50%
54.37%
78.22%
76.11%
63.67%
68.52%
79.90%
71.36% 73.28%
40%
30%
全球专利比例
20%
3/5局专利申请比例
10%
0%
前10
前20
前30
前40
前50
申 请 人数量
专利集中度分析:
反映对于特定技术的专利控制格局、竞争和垄断程度
29
29
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
光谱检测系统, 42
电信号检测系统, 9
边缘均一性补偿装置, 298
厚度检测系
气体排放系
14
统,
气体供给
统, 171
系统, 111
部件防护, 162
射频匹配, 234
射频源, 1889
气体供给与
排放系统
其它传输结构, 1
终点检测, 65
晶片夹具对准装置, 42
射频装置, 2123
升降装置, 3
晶片传输通道, 4
等离子体产生装置, 3653
晶片传输系统, 132
腔体, 640
机械臂, 82
等离子体反应腔, 8984
气体分配装置, 358
晶片固定装置, 530
等离子体约束装置, 266
电极组件, 3077
各技术分支的专利分布分析:
反映特定领域各分支的专利分布情况及专利集中的重点技术分支
30
30
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
900
2007
2002
800
1999
2001
2006
2005
2003
700
2000
1997
申请量(项)
600
1998
1993
2004
1996
500
1992
1991
400
1989
300
1995
1994
1988
1990
200
100
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
申请人数量
技术研发活跃度分析:
反映特定领域技术研发所处的阶段:起步期、发展期、成熟期和衰退期
31
31
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
晶片传
输系统
12
部件防护
等
离
子
体
反
应
腔
14
10
11
14
15
14
7
19
6
15
30
17
19
17
15
17
13
10
20
4
4
3
2
8
3
3
8
14
7
8
9
8
13
10
10
15
8
15
气体分
配装置
6
5
5
8
5
17
7
13
12
7
20
19
24
22
33
23
15
37
28
31
晶片固
定装置
9
9
15
12
15
20
17
21
27
29
44
38
32
43
31
34
23
34
30
32
边缘均一性
补偿装置
5
2
2
1
4
2
12
6
14
8
10
17
24
12
30
15
23
23
31
42
等离子体
约束装置
3
6
7
10
11
8
7
11
10
9
10
7
17
17
35
12
19
22
14
23
电极组件
72
60
78
85
120
122
122
106
111
148
146
187
187
194
209
189
169
193
210
223
腔体
11
11
21
21
20
28
23
27
22
29
37
44
42
52
40
42
31
43
23
51
114
98
130
148
195
188
178
178
175
200
172
196
187
183
218
171
155
230
206
199
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
02
03
04
05
06
07
等离子体
产生装置
1988 89
2000 01
各技术分支历年专利分布分析:
反映各技术分支历年研发的整体状况
32
32
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
提高效率
16
23
18
22
28
38
41
44
42
73
65
69
73
84
106
91
62
82
90
117
控制沾污
5
9
9
21
21
34
16
16
38
43
36
54
46
61
38
36
49
49
54
62
19
34
42
38
52
66
67
91
76
89
133
125
117
140
155
139
126
161
129
155
3
2
7
2
3
1
6
4
2
7
17
6
7
3
1
6
7
6
10
11
12
5
15
19
13
14
23
24
23
31
29
18
24
30
31
1
1
2
6
5
8
5
9
10
13
14
16
10
9
15
10
11
9
14
可靠性
控制选择比
刻蚀准确性
7
刻蚀形貌
刻蚀速率
13
8
18
19
23
31
28
16
30
35
28
40
28
37
50
41
43
50
37
54
刻蚀均匀性
41
48
62
76
96
142
123
117
145
169
157
185
213
178
216
199
161
235
247
267
1988
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
2000
01
02
03
04
05
06
07
各类技术效果相关专利历年分布分析:
反映特定技术研发过程中重点关注和解决的主要技术问题
33
33
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
准确传输
4
3
温度控制
10
2
提高效率
夹持均匀性
351
12
4
4
60
3
4
16
104
19
24
1297
145
3
35
9
22
边缘均一性
补偿装置
528
33
4
部件防护
14
25
15
29
99
5
160
54
118
13
67
70
6
85
等离子体
约束装置
电极组件
45
8
87
晶片固
定装置
10
39
11
6
12
32
408
115
13
23
147
36
16
48
407
5
9
10
11
技术-功效矩阵分析:
1.反映技术研发及专利布局的聚焦点和空白点
2.有助于企业确定技术研发方向
10
40
19
腔体
49
126
3
气体分
配装置
22
2
19
50
116
65
78
7
100
22
34
28
17
69
256
12
17
16
56
28
10
99
561
11
19
5
176
39
57
16
815
45
等离子体
产生装置
25
181
36
28
5
23
33
67
15
34
69
12
194
29
124
25
78
控制选择比
降低成本
374
55
3
5
控制沾污
可靠性
15
3
12
刻蚀速率
刻蚀均匀性
104
18
刻蚀准确性
刻蚀形貌
58
4
92
54
94
晶片传输系统 射频装置
7
46
15
2
7
4
气体供给
与排放
终点检测
34
34
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
排名
等离子体反应腔
晶片传输系统
射频装置
气体供给与排放系统
终点检测系统
1
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
东京电子(日本)TOKYO
ELECTRON
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
2
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
3
日立(日本)
HITACHI
拉姆研究(美国)
LAM RES
日立(日本)
HITACHI
日立(日本)
HITACHI
拉姆研究(美国)
LAM RES
4
松下(日本)
MATSUSHITA
日立(日本)
HITACHI
拉姆研究(美国)
LAM RES
拉姆研究(美国)
LAM RES
日立(日本)
HITACHI
5
拉姆研究(美国)
LAM RES
北方微电子
(中国)
松下(日本)
MATSUSHITA
三星电子(韩国)
SAMSUNG
松下(日本)
MATSUSHITA
6
三星电子(韩国)
SAMSUNG
三星电子(韩国)
SAMSUNG
三星电子(韩国)
SAMSUNG
松下(日本)
MATSUSHITA
奥林巴斯(日本)
OLYMPUS
7
三菱(日本)
MITSUBISHI
松下(日本)
MATSUSHITA
三菱(日本)
MITSUBISHI
佳能(日本)
CANON
北方微电子
(中国)
8
日本电气(日本)
NEC
爱德牌工程
(德国)ADP
索尼(日本)
SONY
北方微电子
(中国)
爱普生(日本)
EPSON
9
索尼(日本)
SONY
海力士(韩国)
HYNIX
东芝(日本)
TOSHIBA
海别得公司
(美国)
HYPERTHERM
索尼(日本)
SONY
10
积水化工(日本)
SEKISUI CHEM IND
三菱(日本)
MITSUBISHI
佳能(日本)
CANON
三菱(日本)
MITSUBISHI
中微半导体
(中国)
各技术分支主要申请人排名:
反映各技术分支的主要专利申请人
35
35
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
技术分支
射频源
有无在华
申请
公开号
申请人
国籍
EP0495524 A1
应用材料
美国
JP4268727A
松下
日本
JP7297175A
东京电子
日本
US6150628 A
应用材料
美国
WO03015123A2
拉姆研究
美国
√
US2003215373A1
MKS仪器有限公司
美国
√
FR2895169A1
雷诺
法国
JP2006270017A
东京电子
日本
√
各技术分支的重要专利:
重要专利可以通过专利同族数量、专利保护范围和专利文献的被引频
36
次等因素来确定
36
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
优先权年
1988-1989
1990-1991
1992-1993
1994-1995
1992.12.02
US5350479A
应用材料
静电卡盘表面通
冷却气体
1994.02.22
US5822171A
应用材料
形成冷却剂槽和
通道用以控制冷
却剂控制温度
1995.02.20
JP8227933A
SHINETSU
CHEMICAL CO
带有内建加热器
的陶瓷静电卡盘
1994.01.31
EP0844659A2
应用材料
复合绝缘层防击
穿静电卡盘
1995.03.10
US5671116A
拉姆研究
多层静电吸盘多
层电绝缘陶瓷和
多个带形线
1998-1999
2000-2001
2002-2003
2004-2005
2006-2008
1997.03.06
US5737178A
应用材料
单晶陶瓷覆盖在
有孔的网格电极
1999.12.22
EP1111661A2
拉姆研究
高温静电卡盘
2001.05.25
WO02103780A1
东京电子
基座台的静电吸盘
通过陶瓷喷涂形成
并进行封孔处理
2003.06.30
US2004261721A1
拉姆研究
支承衬底温度的动
态调整
2004.10.07
US2006076108A1
应用材料
包括不同热导率系
数材料层的基座
2006.04.27
US2007258186A1
应用材料
具有双温度区的静
电吸盘的衬底支架
1997.03.19
JP10261698A
东京电子
分块静电卡盘取
代整体卡盘,
1999.05.07
US2002075624A1
应用材料
具有加热器的静电
卡盘
1996-1997
重点技术分支 重要专利
1988.5.23
US5262029A
拉姆研究
晶片固定夹环机
构
晶片固定装置
1994.01.31
US6278600B1
应用材料
防击穿层
边缘均一性补偿
装置
1996.11.05
US5885469A
应用材料
氦气背流控温
2005.04.26
US2006238953A1
应用材料
智能升降的静电卡
盘
1997.12.01
US5880924A
应用材料
具有接地的放电
电极以移除残余
电荷
1999.06.30
US6344105B
拉姆研究
RF耦合边环改善
蚀刻率的均匀性
2000.02.14
JP2001308079A
东京电子
保持温度补偿环
2002.09.18
US2004053428A1拉
姆研究
采用可变位置的耦
2005.08.08
US2007032081A1
拉姆研究
包括介电间隔环
和边缘环的的边
缘环组件
2000.10.06
特定技术的技术发展路线:
US6475336 B1
2003.12.17
拉姆研究
US2005133164A1
一个静电边环夹
可以反映相关技术的发展变迁,了解技术的代际变化及优劣势
拉姆研究
盘,在加工时边
环可支撑在其上。
温控热边缘环组件,
37
37
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
1988-2008申请量排名
1998-2008申请量排名
排名
申请人
数量
排名
申请人
数量
1
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
2166
1
东京电子(日本)
TOKYO ELECTRON
1381
2
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
1647
2
应用材料(美国)
APPLIED MATERIALS
1050
3
日立(日本)
HITACHI
822
3
日立(日本)
HITACHI
421
4
松下(日本)
MATSUSHITA
463
4
拉姆研究(美国)
LAM RES
372
5
拉姆研究(美国)
LAM RES
460
5
松下(日本)
MATSUSHITA
324
6
三星电子(韩国)
SAMSUNG
281
6
三星电子(韩国)
SAMSUNG
271
7
三菱(日本)
MITSUBISHI
237
7
积水化工(日本)
SEKISUI CHEM IND
152
8
索尼(日本)
SONY
182
8
三菱(日本)
MITSUBISHI
94
9
日本电气(日本)
NEC
168
9
佳能(日本)
CANON
85
10
积水化工(日本)
SEKISUI CHEM IND
156
10
北方微电子(中国)
84
确定重要申请人:
应从多角度进行综合考察
38
38
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
晶片传
输系统
10
8
部件防护
等
离
子
体
9
8
1
气体分
配装置
3
晶片固
定装置
6
边缘均一性
补偿装置
1
1
11
10
1
3
7
3
5
1
1
4
1
2
2
3
2
4
3
1
4
8
1
5
2
6
4
2
1
3
3
9
1
4
4
4
10
10
4
9
14
8
3
8
10
14
6
5
9
10
4
4
3
12
9
8
8
15
8
12
5
7
12
8
1
1
4
3
10
5
5
2
6
8
1
2
反
应
腔
等离子体
约束装置
1
2
2
2
2
4
10
2
5
3
5
4
12
8
10
7
18
17
27
29
11
10
11
28
19
3
6
2
6
9
8
9
18
12
9
10
9
7
21
31
10
8
11
14
10
26
16
38
43
19
12
20
32
35
93
94
95
96
97
98
99 2000 01
02
03
04
05
06
07
1
1
2
20
17
9
12
35
31
13
腔体
5
3
13
9
6
18
等离子体
产生装置
7
1
2
6
13
90
91
92
电极组件
1988 89
竞争对手各技术分支历年专利分布分析:
反映竞争对手(以东京电子为例)各技术分支历年专利申请的整体状况
39
39
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
100%
90%
80%
70%
60%
微波
50%
电容耦合
40%
电感耦合
30%
ECR
20%
10%
0%
1988 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008
竞争对手特定技术各技术路线历年专利比重分布分析:
反映竞争对手(以东京电子为例)在特定技术分支(等离子体产生装
置)上所采取的技术路线的发展变迁
40
40
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
刻蚀形貌
4
刻蚀速率
6
刻蚀均匀性
9
控制沾污
6
控制选择比
5
可靠性
8
4
降低成本
4
1
夹持均匀性
3
1988
1
1
2
1
2
1
2
1
4
5
2
3
7
10
12
11
31
14
13
18
3
2
7
5
7
1
3
1
8
1
12
30
2
2
3
7
9
2
6
92
93
94
95
2
89
90
91
8
10
12
1
1
96
1
2
1
1
2
2
1
5
4
8
9
2
7
8
7
6
22
16
27
31
43
41
28
22
25
48
51
7
5
5
4
9
3
11
6
6
11
14
2
3
3
6
27
24
27
15
32
26
37
3
14
5
1
4
5
6
3
3
06
07
2
5
1
1
15
12
23
14
2
2
3
6
7
4
6
7
5
2
97
98
99
2000
01
02
03
04
05
竞争对手在特定技术上的各类技术效果相关专利历年分布:
反映竞争对手在特定技术研发中重点关注和解决的主要技术问题
41
41
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
中国台湾
6
4
欧洲
1
2
11
4
日本
46
52
61
74
1
113
24
10
16
19
20
23
43
28
33
43
28
23
32
59
48
2
4
4
6
12
27
15
11
17
4
8
2
4
6
2
168
49
52
50
67
71
106
69
132
148
83
64
82
138
158
3
2
3
21
26
24
20
27
50
25
中国
美国
10
8
34
30
32
51
12
23
24
38
39
77
56
107
122
90
62
72
112
81
韩国
9
7
29
21
27
46
10
19
21
25
37
56
29
37
41
32
19
28
77
49
1988
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
2000 01
02
03
04
05
06
07
竞争对手在主要市场国/地区历年专利分布分析:
反映竞争对手历年来在各主要市场国/地区专利布局的整体状况
42
42
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
晶片传输系统
等
离
子
体
反
应
腔
9
9
9
部件防护
16
6
26
1
8
气体分配装置
26
15
16
1
48
晶片固定装置
19
9
19
28
边缘均一性补偿装置
12
7
1
等离子体约束装置
26
4
8
21
2
6
电极组件
44
4
31
1
5
腔体
15
7
9
3
7
等离子体产生装置
58
6
19
东京电子
应用材料
拉姆研究
26
中微半导体
北方微电子
主要竞争对手在各技术分支的专利分布对比:反映各竞争对手在各技术
分支上专利实力的比较状况(图示为在华专利)
43
43
二、竞争对手专利分析——案例:等离子体刻蚀机专利分析
形成分析报告
 第一部分 引言
 第二部分 概要
 第三部分 专利分析内容
 第四部分 主要结论
 第五部分 应对措施和建议
 第六部分 附录
44
44
三、专利挖掘、布局及规避——专利挖掘
专利挖掘概述
专利挖掘的基本操作实务
专利挖掘的基本操作思想
专利挖掘的意义和作用
专利挖掘的分类
专利挖掘的实施主体
专利挖掘的基本操作流程
专利挖掘的操作要点
专利挖掘
操作实务
前瞻部署专利挖掘规划
提炼形成发明创新点
科学实施专利挖掘管理
撰写形成技术交底书
积极培育专利挖掘文化
专利挖掘的规划和管理
专利挖掘的重要成果
45
45
三、专利挖掘、布局及规避——专利布局
专利布局的总体规划
专利地域布局
专利布局地域的确定
专利布局的指导思想
专利布局方案的制定
各地域的专利布局重点
专利地域布局的流程
专利布局
操作实务
产品的专利布局
嵌入研发项目的技术专利布局
专利组合的作用
专利组合的基本结构
专利组合的构建和维护
基于产品和技术
的专利布局
专利组合布局
46
46
三、专利挖掘、布局及规避——规避设计
规避设计的基本原则
规避设计的策略选择
对于处于上升期的产品和技术
避免专利侵权
不明显降低市场竞争力
不与企业的战略相矛盾
对于处于成熟期的产品和技术
对于处于衰退期的产品和技术
规避设计
操作实务
规避设计的流程构成
权利要求的解读
规避设计的关键环节
技术规避的方式
规避方案的风险排查
规避设计的操作流程
规避设计的操作要点
47
47
手机:13651065522
座机:010-62083635
Email:[email protected]
48

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